Транзисторы для усиления сигналов 5G и будущих 6G с трудом справляются с тёпловой нагрузкой. Совместными усилиями инженеров из США и Англии эта проблема была решена с помощью создания «одеяла» из теплопроводного алмаза для охлаждения транзисторов.
Инженеры покрыли поверхность самых нагревающихся частей транзисторов теплоотводящим алмазным слоем. Тепло проходило через алмаз к радиатору на задней панели устройства. С помощью этой техники исследователи добились снижения температуры на 100 градусов по Цельсию без какого-либо ухудшения электрических свойств устройства, сообщает журнал IEEE Spectrum.
Исследователи испытали свою технологию на транзисторах с высокой подвижностью электронов из нитрида галлия. Этот материал считается альтернативой кремнию для создания высокочастотных устройств, поскольку он может выдерживать более высокие электрические поля и быстрее реагировать на изменения электрического поля. Нитрид галлия также разрушается при более высокой температуре, чем кремний. Охлаждение транзисторов позволит им обеспечивать более высокую мощность на высоких частотах, сохраняя при этом их достаточно малые размеры для питания радаров следующего поколения, а также технологии 6G.
